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MOS FETリレー

形G3VM-21BR/ER MOS FETリレー

メカニカルリレー並みのオン抵抗20mΩを実現!
DIP20V品で大電流4A開閉を実現した
MOS FETリレー

  • 連続負荷電流4A(C接続8A)。
  • 微小アナログ信号の開閉が可能。
  • 入出力間耐電圧2500Vrms。

更新日 2012/8/31

本ページは製品カタログからの抜粋した情報を記載しています。その他の製品情報はカタログ他各種データをご覧ください。

(◎印の機種は標準在庫機種です。無印(受注生産機種)の納期についてはお取引き商社にお問い合わせください。)
形状 接点
構成
端子種類 負荷電圧(最大) * 形式 最小梱包単位
スティック
数量
テーピング
数量
DIP6 1a プリント基板用端子 20V ◎形G3VM-21BR 50
サーフェス・マウント端子 ◎形G3VM-21ER
形G3VM-21ER(TR) 1,500
*負荷電圧(最大):ピークAC、DCを表わします。
■絶対最大定格(Ta=25℃)
項目 記号 定格 単位 条件


LED順電流 IF 30 mA  
繰り返しピークLED順電流 IFP 1 A 100μsパルス、100pps
直流順電流低減率 △IF/℃ -0.3 mA/℃ Ta≧25℃
LED逆電圧 VR 5 V  
接合部温度 TJ 125  


負荷電圧(ピークAC/DC) VOFF 20 V  
連続負荷電流 A接続 Io 4 A A接続:ピークAC/DC
B、C接続:DC
B接続 4
C接続 8
オン電流低減率 A接続 △IO/℃ -40 mA/℃ Ta≧25℃
B接続 -40
C接続 -80
パルスオン電流 Iop 12 A t=100ms、Duty=1/10
接合部温度 TJ 125  
入出力間耐電圧(注1) VI-O 2500 Vrms AC1分間
使用周囲温度 Ta −40〜+85 氷結・結露のないこと
保管温度 Tstg −55〜+125 氷結・結露のないこと
はんだ付け温度条件 260 10s
(注1):入出力間耐電圧の測定は、LEDピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。

■電気的性能(Ta=25℃)
項目 記号 最小 標準 最大 単位 条件


LED順電圧 VF 1.18 1.33 1.48 V IF=10mA
逆電流 IR 10 μA VR=5V
端子間容量 CT 70 pF V=0、f=1MHz
トリガLED順電流 IFT 0.5 3 mA Io=1A


最大出力オン抵抗 A接続 RON 20 50 IF=5mA、Io=2A、t<1s
B接続 10 IF=5mA、Io=2A、t<1s
C接続 5 IF=5mA、Io=4A、t<1s
開路時漏れ電流 ILEAK 1.0 μA VOFF=20V
端子間容量 COFF 1000 pF V=0、f=1MHz
入出力間容量 CI-O 0.8 pF f=1MHz、VS=0V
入出力間容量絶縁抵抗 RI-O 1000 108 VI-O=500VDC、ROH≦60%
動作時間 tON 2.5 5 ms IF=5mA、RL=200Ω、
VDD=20V(注2)
復帰時間 tOFF 0.1 1 ms
(注2):動作・復帰時間

(単位:mm)
形G3VM-21BR
形G3VM-21BR:外形1
質量:0.4g
注. マーキングの内容は各商品で異なります。


形G3VM-21ER
形G3VM-21ER:外形1
質量:0.4g
注. マーキングの内容は各商品で異なります。
プリント基板加工寸法(BOTTOM VIEW)
形G3VM-21BR:外形2
実装パッド寸法(推奨値)(TOP VIEW)
形G3VM-21ER:外形4


端子配置/内部接続図
形G3VM-21BR:外形3
注. 製品の形式表示には、「G3VM」は表示しておりません。

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