形G6Z　サーフェス・マウント高周波リレー

表面実装に対応した 3GHz帯 小型1極高周波リレー

• 2.6GHzでアイソレーション30dB以上、インサーションロス0.5dB以下、V.SWR1.5以下と優れた高周波特性を実現。
• セミトリプレートストリップライン方式の伝送路構造により、サーフェス・マウント端子と優れた高周波特性を両立。
• 長さ20mm、幅8.6mm、高さ8.9mmと小型を実現。
• 1巻線ラッチングタイプ(200mW)と、2巻線ラッチングタイプ(360mW)と逆接点配列タイプをシリーズ化。
• 既存品と同一端子配列のE端子構造と、基板設計自由度向上に貢献するY型端子構造をシリーズ化。
• 75Ωインピーダンスと50Ωインピーダンス両タイプをシリーズ化。

2016年3月末生産終了品