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形G3VM-41GR6　MOS FETリレー

低C×R=10pF・Ωを実現した新型MOS FETリレー 負荷電圧40Vタイプ

  • 高周波特性を重視した出力端子間容量＝1pF（標準）。
  • 開路時漏れ電流1.0nA(最大)。
RoHS適合
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本ページは製品カタログからの抜粋した情報を記載しています。その他の製品情報はデータシート他各種データをご覧ください。
（◎印の機種は標準在庫機種です。無印（受注生産機種）の納期についてはお取引き商社にお問い合わせください）
形状 接点
構成		 端子種類 負荷電圧（最大） ＊ 形式 最小梱包単位
スティック
数量		 テーピング
数量
SOP4 1a サーフェス･マウント端子 40V 形G3VM-41GR6 100 −
形G3VM-41GR6（TR） − 2,500
＊負荷電圧（最大）：ピークAC、DCを表わします。
■絶対最大定格（Ta=25℃）
項目 記号 定格 単位 条件
入
力
側		 LED順電流 IF 50 mA  
直流順電流低減率 △IF/℃ -0.5 mA/℃ Ta≧25℃
LED逆電圧 VR 5.0 V  
接合部温度 TJ 125 ℃  
出
力
側		 負荷電圧（ピークAC/DC） VOFF 40 V  
連続負荷電流（ピークAC/DC） IO 120 mA  
オン電流低減率 △IO/℃ -1.2 mA/℃ Ta≧25℃
接合部温度 TJ 125 ℃  
入出力間耐電圧 (注1) VI-O 1500 Vrms AC1分間
使用周囲温度 Ta −20〜＋85 ℃ 氷結･結露のないこと
保管温度 Tstg −55〜＋125 ℃ 氷結･結露のないこと
はんだ付け温度条件 — 260 ℃ 10s
(注1)：入出力間耐電圧の測定は、LEDピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。

■電気的性能（Ta=25℃）
項目 記号 最小 標準 最大 単位 条件
入
力
側		 LED順電圧 VF 1.0 1.15 1.3 V IF=10mA
逆電流 IR — — 10 μA VR=5V
端子間容量 CT — 15 — pF V=0、f=1MHz
トリガLED順電流 IFT — — 4 mA Io=100mA
出
力
側		 最大出力オン抵抗 RON — 10 15 Ω IF=5mA、Io=120mA、t<1s
開路時漏れ電流 ILEAK — — 1.0 nA VOFF=30V、Ta=50℃
端子間容量 COFF — 1 2 pF V=0、f=100MHz、t<1s
入出力間容量 CI-O — 0.8 — pF f=1MHz、Vs=0V
入出力間容量絶縁抵抗 RI-O 1000 108 — MΩ VI-O=500VDC、RoH≦60%
動作時間 tON — — 0.5 ms IF=10mA、RL=200Ω、
VDD=20V (注2)
復帰時間 tOFF — — 0.5 ms
(注2)：動作・復帰時間

形G3VM-41GR6:1
（単位:mm）
形G3VM-41GR6
形G3VM-41GR6:外形1
質量：0.1g
注. マーキングの内容は各商品で異なります。
実装パッド寸法（推奨値）（TOP VIEW）
形G3VM-41GR6：外形2		 端子配置/内部接続図
形G3VM-41GR6：外形3
注. 製品の形式表示には、「G3VM」は表示しておりません。
※ 1ピンマークと対角側の窪みはモールド金型突き出しピン跡となります。