Product Details Portlet
形G3VM-41GR6 MOS FETリレー
低C×R=10pF・Ωを実現した新型MOS FETリレー 負荷電圧40Vタイプ
- 高周波特性を重視した出力端子間容量=1pF(標準)。
- 開路時漏れ電流1.0nA(最大)。
RoHS適合
- Japanese
データシート
- Japanese
G3VM MOS FETリレー 総合データシート
- Japanese
G3VM MOS FETリレー セレクションガイド
- English
Datasheet
ログイン/会員登録 いただくと、CADデータをダウンロードすることができます。

本ページは製品カタログからの抜粋した情報を記載しています。その他の製品情報はデータシート他各種データをご覧ください。
(◎印の機種は標準在庫機種です。無印(受注生産機種)の納期についてはお取引き商社にお問い合わせください)
*負荷電圧(最大):ピークAC、DCを表わします。
形状 | 接点 構成 |
端子種類 | 負荷電圧(最大) * | 形式 | 最小梱包単位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
スティック 数量 |
テーピング 数量 |
|||||
SOP4 | 1a | サーフェス・マウント端子 | 40V | 100 | − | |
− | 2,500 |
■絶対最大定格(Ta=25℃)
(注1):入出力間耐電圧の測定は、LEDピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。
■電気的性能(Ta=25℃)
(注2):動作・復帰時間
項目 | 記号 | 定格 | 単位 | 条件 | |
---|---|---|---|---|---|
入 力 側 |
LED順電流 | IF | 50 | mA | |
直流順電流低減率 | △IF/℃ | -0.5 | mA/℃ | Ta≧25℃ | |
LED逆電圧 | VR | 5.0 | V | ||
接合部温度 | TJ | 125 | ℃ | ||
出 力 側 |
負荷電圧(ピークAC/DC) | VOFF | 40 | V | |
連続負荷電流(ピークAC/DC) | IO | 120 | mA | ||
オン電流低減率 | △IO/℃ | -1.2 | mA/℃ | Ta≧25℃ | |
接合部温度 | TJ | 125 | ℃ | ||
入出力間耐電圧 (注1) | VI-O | 1500 | Vrms | AC1分間 | |
使用周囲温度 | Ta | −20〜+85 | ℃ | 氷結・結露のないこと | |
保管温度 | Tstg | −55〜+125 | ℃ | 氷結・結露のないこと | |
はんだ付け温度条件 | — | 260 | ℃ | 10s |
■電気的性能(Ta=25℃)
項目 | 記号 | 最小 | 標準 | 最大 | 単位 | 条件 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|
入 力 側 |
LED順電圧 | VF | 1.0 | 1.15 | 1.3 | V | IF=10mA |
逆電流 | IR | — | — | 10 | μA | VR=5V | |
端子間容量 | CT | — | 15 | — | pF | V=0、f=1MHz | |
トリガLED順電流 | IFT | — | — | 4 | mA | Io=100mA | |
出 力 側 |
最大出力オン抵抗 | RON | — | 10 | 15 | Ω | IF=5mA、Io=120mA、t<1s |
開路時漏れ電流 | ILEAK | — | — | 1.0 | nA | VOFF=30V、Ta=50℃ | |
端子間容量 | COFF | — | 1 | 2 | pF | V=0、f=100MHz、t<1s | |
入出力間容量 | CI-O | — | 0.8 | — | pF | f=1MHz、Vs=0V | |
入出力間容量絶縁抵抗 | RI-O | 1000 | 108 | — | MΩ | VI-O=500VDC、RoH≦60% | |
動作時間 | tON | — | — | 0.5 | ms | IF=10mA、RL=200Ω、 VDD=20V (注2) |
|
復帰時間 | tOFF | — | — | 0.5 | ms |
(単位:mm) 形G3VM-41GR6 質量:0.1g 注. マーキングの内容は各商品で異なります。 |
|
実装パッド寸法(推奨値)(TOP VIEW) |
端子配置/内部接続図 注. 製品の形式表示には、「G3VM」は表示しておりません。 ※ 1ピンマークと対角側の窪みはモールド金型突き出しピン跡となります。 |