形 G3VM-21UR□ MOS FETリレー VSON 低端子間容量&低オン抵抗タイプ (低C×R)

MOS FETリレー 低端子間容量&低オン抵抗タイプ(低C x R): G3VM-21UR□

世界最小クラス*のパッケージVSON新登場
低C×Rを実現したMOS FETリレー

*2016年11月 当社調べ

  • 負荷電圧 20V
  • 形G3VM-21UR10:低C×R=2.4pF・Ω、COFF(標準)=0.8pF、RON(標準)=3Ω
  • 形G3VM-21UR1:低C×R=4pF・Ω、COFF(標準)=5pF、RON(標準)=0.8Ω
  • 形G3VM-21UR11:低C×R=7.2pF・Ω、COFF(標準)=40pF、RON(標準)=0.18Ω
  • 高温対応(使用周囲温度:-40℃~110℃)
  • ダウンロード可能データ
  • CAD

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カタログ

データ種別 ファイル名 更新日
データシート データシート G3VM-21UR□
注意事項 MOS FETリレー 共通の注意事項
セレクションガイド G3VM MOS FET RELAY セレクションガイド
用語集 MOS FETリレー 用語解説
技術解説 The解決 [MOS FETリレー編] 会員専用
ソフトウェア シミュレーションモデル

MODEL LIST形式一覧

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形式 2D/3D CAD*1 ECAD*2 購入 Rohs証明書 生産中止
G3VM-21UR1 ログイン/会員登録 ログイン/会員登録
RoHS証明書 生産中
G3VM-21UR1(TR05)
RoHS証明書 生産中
G3VM-21UR10 ログイン/会員登録 ログイン/会員登録
RoHS証明書 生産中
G3VM-21UR10(TR05)
RoHS証明書 生産中
G3VM-21UR11 ログイン/会員登録 ログイン/会員登録
RoHS証明書 生産中
G3VM-21UR11(TR05)
RoHS証明書 生産中
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