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形EE-SY1200 フォト・マイクロセンサ[反射形]

  • 超小型タイプ
  • 表面実装タイプ
  • 高S/N比(高IL/低ILEAK
  • 検出距離=1.0〜4.0mm
RoHS適合
本ページは製品カタログからの抜粋した情報を記載しています。その他の製品情報はデータシート他各種データをご覧ください。
■絶対最大定格(Ta=25℃)
項 目 記号 定格値 単位
発光側 順電流 IF 50*1 mA
パルス順電流 IFP 500*2 mA
逆電圧 VR 4 V
受光側 コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO 30 V
エミッタ・コレクタ間電圧 VECO 5 V
コレクタ電流 IC 20 mA
コレクタ損失 PC 50*1 mW
動作温度 Topr −25〜+85
保存温度 Tstg −40〜+100
リフローはんだ付け温度 Tsol 240*3
*1 周囲温度が25℃を越える場合は、温度定格図をご覧ください。
*2 パルス幅≦10μs、繰返し100Hz
*3 はんだ付け時間は10秒以内


■電気的および光学的特性(Ta=25℃)
項 目 記号 特性値 単位 条件
MIN. TYP. MAX.
発光側 順電圧 VF 1.2 1.4 V IF=20mA
逆電流 IR 10 μA VR=4V
ピーク発光波長 λP 940 nm
受光側 光電流1 IL1 200 1000 μA IF=10mA,VCE=2V
アルミ蒸着ガラス、d=4mm*1
光電流2 IL2 150 μA IF=4mA,VCE=2V
アルミ蒸着ガラス、d=1mm*1
暗電流 ID 2 200 nA VCE=10V,0x
漏れ電流1 ILEAK1 500 nA IF=10mA,VCE=2V
無反射状態*2
漏れ電流2 ILEAK2 200 nA IF=4mA,VCE=2V
無反射状態*2
コレクタ・エミッタ間
飽和電圧
VCE(sat) V
ピーク分光感度波長 λP 850 nm
上昇時間 tr 30 μs VCC=2V,RL=1kΩ
IL=100μA,d=1mm
下降時間 tf 30 μs VCC=2V,RL=1kΩ
IL=100μA,d=1mm
*1.dはセンサ上面から反射物までの距離
*2. センサの設置状態によっては、周囲の物体や検出物体の背景物体にて、センサの投光LEDの光や外乱光が反射して受光側に入光することがありますので、
実際に使用されるアプリケーションで十分にご確認のうえ、ご使用ください。
(単位:mm)
EESY1200:外形
指定なき寸法公差は±0.15。
バリは含みません。
バリ寸法はMAX0.15。
斜線部は金メッキエリアです。



推奨はんだ付けパターン EESY1200:外形

注1. 上記の網掛け部はショートの
原因になる恐れがありますので、
配線しないでください。
2. 推奨はんだ付けパターンの寸法公差は±0.1です。

(単位:mm)
EESY1200:外形

内部回路 EESY1200:外形

端子記号 名称
A アノード
K カソード
C コレクタ
E エミッタ
指定なき寸法公差は±0.2とする。