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形EE-SX1350 フォト・マイクロセンサ[透過形]

小型溝型・SMDタイプ(溝幅:5mm)

  • SMDタイプで溝幅5mmを実現
  • プリント基板表面実装タイプ
  • 高分解能(スリット幅:0.5mm)
RoHS適合
本ページは製品カタログからの抜粋した情報を記載しています。その他の製品情報はデータシート他各種データをご覧ください。
■絶対最大定格(Ta=25℃)
項 目 記号 定格値 単位 備考
発光側
順電流
IF 30 mA *1
パルス順電流
IFP 100 mA Duty比1%,
パルス幅
0.1ms
逆電圧
VR 4 V
受光側
コレクタ・エミッタ間電圧
VCEO 12 V
エミッタ・コレクタ間電圧
VECO 5 V
コレクタ電流
IC 20 mA
コレクタ損失
PC 50 mW *1
動作温度
Topr −30〜+85 *1
保存温度
Tstg −40〜+100 *1
リフローはんだ付け温度
Tsol 255 10秒以内*2
*1 所定条件内であっても、電圧・電流は、温度定格図により適時軽減するようにしてください。また、氷結・結露のないようにしてください。
*2 リフローはんだ付けは実装上の注意に記載の条件にてはんだ付を行なってください。


■電気的および光学的特性(Ta=25℃)
項 目 記号 特性値 単位 条件
MIN. TYP. MAX.
発光側
順電圧
VF 1.2 1.5 V IF=30mA
逆電流
IR 0.01 10 μA VR=4V
ピーク発光波長
λP 940 nm IF=20mA
受光側
光電流
IL 0.4 4 mA IF=20mA,VCE=10V
暗電流
ID 10 200 nA VCE=10V,0x
コレクタ・エミッタ間
飽和電圧
VCE(sat) 0.1 0.4 V IF=20mA,IL=0.1mA
ピーク分光感度波長
λP 900 nm VCE=5V
上昇時間
tr 11 μs VCC=5V,RL=100Ω
IL=1mA
下降時間
tf 14 μs VCC=5V,RL=100Ω
IL=1mA
上昇時間, 下降時間の定義は下図のとおりです。 EE-SX1350:Characteristics1

■外装仕様
接続方式 質量(g) 材質
ケース
表面実装タイプ 0.3 PPS
(単位:mm)
EESX1350:外形
■スリットサイズ(縦×横)
発光側 受光側
1.4 x 1.4 1.4 x 0.5

■内部回路
EESX1350:外形
端子記号 名称
(1) アノード
(2) 未接続
(3) カソード
(4) コレクタ
(5) 未接続
(6) エミッタ
指定なき寸法公差は±0.2とする。