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形G3VM-61BR/G3VM-61ER　MOS FETリレー

アナログ信号開閉用途に適した 高容量（2.5A）タイプ新型MOS FETリレー

  • 微小アナログ信号の開閉可能。
  • 低オン抵抗（0.1Ω最大）。
  • 連続負荷電流2.5A。
RoHS適合
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本ページは製品カタログからの抜粋した情報を記載しています。その他の製品情報はデータシート他各種データをご覧ください。
（◎印の機種は標準在庫機種です。無印（受注生産機種）の納期についてはお取引き商社にお問い合わせください。）
形状 接点
構成		 端子種類 負荷電圧（最大） ＊ 形式 最小梱包単位
スティック
数量		 テーピング
数量
DIP6 1a プリント基板用端子 60V 形G3VM-61BR 50 −
サーフェス・マウント端子 形G3VM-61ER
形G3VM-61ER（TR） − 1,500
＊負荷電圧（最大）：ピークAC、DCを表わします。
■絶対最大定格（Ta=25℃）
項目 記号 定格 単位 条件
入
力
側		 LED順電流 IF 30 mA  
直流順電流低減率 △IF/℃ -0.3 mA/℃ Ta≧25℃
LED逆電圧 VR 5 V  
接合部温度 TJ 125 ℃  
出
力
側		 負荷電圧（ピークAC/DC） VOFF 60 V  
連続負荷電流（ピークAC/DC） Io 2500 mA  
オン電流低減率 △IO/℃ -22 mA/℃ Ta≧40℃
接合部温度 TJ 125 ℃  
入出力間耐電圧（注1） VI-O 2500 Vrms AC1分間
使用周囲温度 Ta −20〜＋85 ℃ 氷結・結露のないこと
保管温度 Tstg −40〜＋125 ℃ 氷結・結露のないこと
はんだ付け温度条件 — 260 ℃ 10s
(注1)：入出力間耐電圧の測定は、LEDピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。

■電気的性能（Ta=25℃）
項目 記号 最小 標準 最大 単位 条件
入
力
側		 LED順電圧 VF 1.18 1.33 1.48 V IF=10mA
逆電流 IR — — 10 μA VR=5V
端子間容量 CT — 70 — pF V=0、f=1MHz
トリガLED順電流 IFT — 1.0 3 mA Io=1A
出
力
側		 最大出力オン抵抗 RON — 0.065 0.1 Ω IF=10mA、Io=2A、t=10ms
開路時漏れ電流 ILEAK — — 10 nA VOFF=60V
端子間容量 COFF — 400 — pF V=0、f=1MHz
入出力間容量 CI-O — 0.8 — pF f=1MHz、VS=0V
入出力間容量絶縁抵抗 RI-O 1000 108 — MΩ VI-O=500VDC、RoH≦60％
動作時間 tON — 1.0 1.5 ms IF=10mA,、RL=200Ω
VDD=20V（注2）
復帰時間 tOFF — 0.2 0.4 ms
(注2)：動作・復帰時間

（単位:mm）
形G3VM-61BR
形G3VM-61BR:外形1
質量：0.4g
注. マーキングの内容は各商品で異なります。

 形G3VM-61ER
形G3VM-61ER:外形1
質量：0.4g
注. マーキングの内容は各商品で異なります。
プリント基板加工寸法(BOTTOM VIEW)
形G3VM-61BR:外形2
 実装パッド寸法（推奨値）（TOP VIEW）
形G3VM-61ER:外形2


端子配置/内部接続図
形G3VM-61BR:外形3
注. 製品の形式表示には、「G3VM」は表示しておりません。