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形G3VM-61BR/G3VM-61ER MOS FETリレー
アナログ信号開閉用途に適した 高容量(2.5A)タイプ新型MOS FETリレー
- 微小アナログ信号の開閉可能。
- 低オン抵抗(0.1Ω最大)。
- 連続負荷電流2.5A。
RoHS適合
- Japanese
データシート
- Japanese
G3VM MOS FETリレー 総合データシート
- Japanese
G3VM MOS FETリレー セレクションガイド
- English
Datasheet
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本ページは製品カタログからの抜粋した情報を記載しています。その他の製品情報はデータシート他各種データをご覧ください。
(◎印の機種は標準在庫機種です。無印(受注生産機種)の納期についてはお取引き商社にお問い合わせください。)
*負荷電圧(最大):ピークAC、DCを表わします。
形状 | 接点 構成 |
端子種類 | 負荷電圧(最大) * | 形式 | 最小梱包単位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
スティック 数量 |
テーピング 数量 |
|||||
DIP6 | 1a | プリント基板用端子 | 60V | 50 | − | |
サーフェス・マウント端子 | ||||||
− | 1,500 |
■絶対最大定格(Ta=25℃)
(注1):入出力間耐電圧の測定は、LEDピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。
■電気的性能(Ta=25℃)
(注2):動作・復帰時間
項目 | 記号 | 定格 | 単位 | 条件 | |
---|---|---|---|---|---|
入 力 側 |
LED順電流 | IF | 30 | mA | |
直流順電流低減率 | △IF/℃ | -0.3 | mA/℃ | Ta≧25℃ | |
LED逆電圧 | VR | 5 | V | ||
接合部温度 | TJ | 125 | ℃ | ||
出 力 側 |
負荷電圧(ピークAC/DC) | VOFF | 60 | V | |
連続負荷電流(ピークAC/DC) | Io | 2500 | mA | ||
オン電流低減率 | △IO/℃ | -22 | mA/℃ | Ta≧40℃ | |
接合部温度 | TJ | 125 | ℃ | ||
入出力間耐電圧(注1) | VI-O | 2500 | Vrms | AC1分間 | |
使用周囲温度 | Ta | −20〜+85 | ℃ | 氷結・結露のないこと | |
保管温度 | Tstg | −40〜+125 | ℃ | 氷結・結露のないこと | |
はんだ付け温度条件 | — | 260 | ℃ | 10s |
■電気的性能(Ta=25℃)
項目 | 記号 | 最小 | 標準 | 最大 | 単位 | 条件 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|
入 力 側 |
LED順電圧 | VF | 1.18 | 1.33 | 1.48 | V | IF=10mA |
逆電流 | IR | — | — | 10 | μA | VR=5V | |
端子間容量 | CT | — | 70 | — | pF | V=0、f=1MHz | |
トリガLED順電流 | IFT | — | 1.0 | 3 | mA | Io=1A | |
出 力 側 |
最大出力オン抵抗 | RON | — | 0.065 | 0.1 | Ω | IF=10mA、Io=2A、t=10ms |
開路時漏れ電流 | ILEAK | — | — | 10 | nA | VOFF=60V | |
端子間容量 | COFF | — | 400 | — | pF | V=0、f=1MHz | |
入出力間容量 | CI-O | — | 0.8 | — | pF | f=1MHz、VS=0V | |
入出力間容量絶縁抵抗 | RI-O | 1000 | 108 | — | MΩ | VI-O=500VDC、RoH≦60% | |
動作時間 | tON | — | 1.0 | 1.5 | ms | IF=10mA,、RL=200Ω VDD=20V(注2) |
|
復帰時間 | tOFF | — | 0.2 | 0.4 | ms |
(単位:mm) | |
形G3VM-61BR 質量:0.4g 注. マーキングの内容は各商品で異なります。 |
形G3VM-61ER 質量:0.4g 注. マーキングの内容は各商品で異なります。 |
プリント基板加工寸法(BOTTOM VIEW) |
実装パッド寸法(推奨値)(TOP VIEW) |
端子配置/内部接続図 注. 製品の形式表示には、「G3VM」は表示しておりません。 |