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形G3VM-61A1/G3VM-61D1 MOS FETリレー

アナログ信号開閉用途に適した小型汎用MOS FETリレー 光絶縁で入出力間耐電圧AC2.5kV

  • 形G3VM-61A/Dシリーズをリニューアル。
  • 微小アナログ信号の開閉が可能。
  • 出力開路時漏れ電流1μA以下。
RoHS適合
本ページは製品カタログからの抜粋した情報を記載しています。その他の製品情報はデータシート他各種データをご覧ください。
(◎印の機種は標準在庫機種です。無印(受注生産機種)の納期についてはお取引き商社にお問い合わせください)
形状接点
構成
端子種類負荷電圧(最大) *形式最小梱包単位
スティック
数量
テーピング
数量
DIP41aプリント基板用端子60V形G3VM-61A1100
サーフェス・マウント端子形G3VM-61D1
形G3VM-61D1(TR)1,500
*負荷電圧(最大):ピークAC、DCを表わします。
■絶対最大定格(Ta=25℃)
項目記号定格単位条件


LED順電流IF50mA
繰り返しピークLED順電流IFP1A100μsパルス、100pps
直流順電流低減率△IF/℃-0.5mA/℃Ta≧25℃
LED逆電圧VR5V
接合部温度TJ125


負荷電圧(ピークAC/DC)VOFF60V
連続負荷電流(ピークAC/DC)IO500mA
オン電流低減率△IO/℃-5.0mA/℃Ta≧25℃
パルスオン電流Iop1.5At=100ms Duty=1/10
接合部温度TJ125
入出力間耐電圧 (注1)VI-O2500VrmsAC1分間
使用周囲温度Ta−40〜+85氷結・結露のないこと
保管温度Tstg−55〜+125氷結・結露のないこと
はんだ付け温度条件26010s
注1.入出力間耐電圧の測定は、LEDピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。

■電気的性能(Ta=25℃)
項目記号最小標準最大単位条件


LED順電圧VF1.01.151.3VIF=10mA
逆電流IR10μAVR=5V
端子間容量CT30pFV=0、f=1MHz
トリガLED順電流IFT1.63mAIo=500mA
復帰LED順電流IFC0.1mAIOFF=100μA


最大出力オン抵抗RON12ΩIF=5mA、Io=500mA
開路時漏れ電流ILEAK1.0μAVOFF=60V
端子間容量COFF130pFV=0、f=1MHz
入出力間容量CI-O0.8pFf=1MHz、Vs=0V
入出力間容量絶縁抵抗RI-O1000108VI-O=500VDC、RoH≦60%
動作時間tON0.82.0msIF=5mA、RL=200Ω、
VDD=20V (注2)
復帰時間tOFF0.10.5ms
※1. 動作・復帰時間



※2. b接点タイプの場合
(単位:mm)
形G3VM-61A1
形G3VM-61A1:外形1
質量:0.25g
注. マーキングの内容は各商品で異なります。


形G3VM-61D1
形G3VM-61D1:外形1
質量:0.25g
注. マーキングの内容は各商品で異なります。
プリント基板加工寸法(BOTTOM VIEW)
形G3VM-61A1:外形2
実装パッド寸法(推奨値)(TOP VIEW)
形G3VM-61D1:外形2


端子配置/内部接続図
形G3VM-61A1:外形3
注. 製品の形式表示には、「G3VM」は表示しておりません。
※ 1ピンマークと対角側の窪みはモールド金型突き出しピン跡となります。