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形G3VM-101AR/G3VM-101DR MOS FETリレー

小型DIP4ピンパッケージでメカニカルリレー並みの低オン抵抗、高容量開閉を実現したMOS FETリレー

  • 負荷電圧 20V/30V/40V/60V/100V/200V
  • 100V品:連続負荷電流 2A(最大)
RoHS適合
本ページは製品カタログからの抜粋した情報を記載しています。その他の製品情報はデータシート他各種データをご覧ください。
(◎印の機種は標準在庫機種です。無印(受注生産機種)の納期についてはお取引き商社にお問い合わせください)
形状接点
構成
負荷電圧 (最大)*連続負荷電流
(最大)*
梱包形態/スティック梱包形態/テーピング
形式最小梱包
単位(個)
形式最小梱包単位(個)
プリント基板用端子サーフェス・マウント端子サーフェス・マウント端子
DIP41a100V1A◎形G3VM-101AR◎形G3VM-101DR100形G3VM-101DR(TR)1,500
2A形G3VM-101AR1形G3VM-101DR1形G3VM-101DR1(TR05)500
*負荷電圧(最大):ピークAC、DCを表わします。
注1. テーピング包装(サーフェス・マウント端子タイプ)は、標準在庫機種ではありません。
注2. テーピング包装(サーフェス・マウント端子タイプ)をご注文の際には、形式末尾に(TR)をお付けください。
■絶対最大定格(Ta=25℃)
項目記号定格単位条件


LED順電流IF30mA 
繰り返しピークLED順電流IFP1A100μsパルス、100pps
直流順電流低減率△IF/℃-0.3mA/℃Ta≧25℃
LED逆電圧VR5V 
接合部温度TJ125 


負荷電圧(ピークAC/DC)VOFF100V 
連続負荷電流(ピークAC/DC)IO1A 
オン電流低減率△IO/℃-10mA/℃Ta≧25℃
パルスオン電流Iop3At=100ms、Duty=1/10
接合部温度TJ125 
入出力間耐電圧 *VI-O2500VrmsAC1分間
使用周囲温度Ta−40〜+85氷結・結露のないこと
保管温度Tstg−55〜+125
はんだ付け温度条件26010s
*入出力間耐電圧の測定は、LEDピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。

■電気的性能(Ta=25℃)
項目記号最小標準最大単位条件


LED順電圧VF1.181.331.48VIF=10mA
逆電流IR10μAVR=5V
端子間容量CT70pFV=0、f=1MHz
トリガLED順電流IFT0.53mAIo=1A
復帰LED順電流IFC0.10.1mAIOFF=10μA


最大出力オン抵抗RON250700IF=5mA、t<1s、Io=1A
開路時漏れ電流ILEAK1μAVOFF=100V
端子間容量COFF200pFV=0、f=1MHz
入出力間容量CI-O0.8pFf=1MHz、VS=0V
入出力間容量絶縁抵抗RI-O1000108VI-O=500VDC、ROH≦60%
動作時間tON0.85msIF=5mA、RL=200Ω、
VDD=20V *
復帰時間tOFF0.31ms
*動作・復帰時間

(単位:mm)
形G3VM-101AR
形G3VM-101AR:外形1
質量:0.25g
注. マーキングの内容は各商品で異なります。


形G3VM-101DR
形G3VM-101DR:外形1
質量:0.25g
注. マーキングの内容は各商品で異なります。
プリント基板加工寸法(BOTTOM VIEW)
形G3VM-101AR:外形2
実装パッド寸法(推奨値)(TOP VIEW)
形G3VM-101DR:外形2


端子配置/内部接続図
形G3VM-101AR:外形3
注. 製品の形式表示には、「G3VM」は表示しておりません。
※ 1ピンマークと対角側の窪みはモールド金型突き出しピン跡となります。