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形EE-SV3シリーズ フォト・マイクロセンサ[透過形]

  • スリット幅0.2mm,0.5mmの高分解能タイプから1mmの高感度タイプと横スリットタイプを用意
  • はんだ付け用端子タイプ
    形EE-SV3/-SV3-CS/-SV3-DS/-SV3-GS
  • プリント基板用端子タイプ
  • 形EE-SV3-B/-SV3-C/-SV3-D/-SV3-G
RoHS適合
本ページは製品カタログからの抜粋した情報を記載しています。その他の製品情報はデータシート他各種データをご覧ください。
■絶対最大定格(Ta=25℃)
項 目 記号 定格値 単位
発光側
順電流
IF 50*1 mA
パルス順電流
IFP 1*2 A
逆電圧
VR 4 V
受光側
コレクタ・エミッタ間電圧
VCEO 30 V
エミッタ・コレクタ間電圧
VECO V
コレクタ電流
IC 20 mA
コレクタ損失
PC 100*1 mW
動作温度
Topr −25〜+85
保存温度
Tstg −30〜+100
はんだ付け温度
Tsol 260*3
*1 周囲温度が25℃を越える場合は、温度定格図をご覧ください。
*2 パルス幅≦10μs、繰返し100Hz
*3 はんだ付け時間は10秒以内


■電気的および光学的特性(Ta=25℃)
項 目 記号 特性値 単位 条件
EE-SV3
EE-SV3-B
EE-SV3-C
EE-SV3-CS
EE-SV3-D
EE-SV3-DS
EE-SV3-G
EE-SV3-GS



順電圧
VF 1.2(TYP.)
1.5(MAX.)
V IF=30mA
逆電流
IR 0.01(TYP.)
10(MAX.)
μA VR=4V
ピーク発光波長
λP 940(TYP.) nm IF=20mA



光電流
IL 0.5〜14 1〜28 0.1(MIN.) 0.5〜14 mA IF=20mA
VCE=10V
暗電流
ID 2(TYP.)
200(MAX.)
nA VCE=10V
0x
漏れ電流
ILEAK μA
コレクタ・エミッタ間
飽和電圧
VCE(sat) 0.1(TYP.)
0.4(MAX.)
0.1(TYP.)
0.4(MAX.)
V IF=20mA
IL=0.1mA
ピーク分光感度波長
λP 850(TYP.) nm VCE=10V
上昇時間
tr 4(TYP.) μs VCC=5V
RL=100Ω
IL=5mA
下降時間
tf 4(TYP.) μs
(単位:mm)
EESV3:外形

形式 スリット穴(a×b)
形EE-SV3 2.1×0.5
形EE-SV3-CS 2.1×1.0
形EE-SV3-DS 2.1×0.2
形EE-SV3-GS 0.5×2.1

形式 スリット穴(a×b)
形EE-SV3-B 2.1×0.5
形EE-SV3-C 2.1×1.0
形EE-SV3-D 2.1×0.2
形EE-SV3-G 0.5×2.1

端子記号 名称
A アノード
K カソード
C コレクタ
E エミッタ

指定なき寸法公差は下表とする。
寸法区分 公差
3以下 ±0.2
3を越え6以下 ±0.24
6を越え10以下 ±0.29
10を越え18以下 ±0.35
18を越え30以下 ±0.42