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形EE-SJ8-B フォト・マイクロセンサ [透過形]

深溝型・端子タイプ(溝幅:8mm)

  • 深溝タイプ(光軸高さ:15mm)
  • 高分解能(スリット幅:0.5mm)
RoHS適合
本ページは製品カタログからの抜粋した情報を記載しています。その他の製品情報はデータシート他各種データをご覧ください。
(納期・価格についてはお取引き商社にお問い合わせください。)
形状検出方式接続方式検出距離スリットサイズ
(縦×横)(mm)
出力形式形式最小納入単位
(単位:個)

透過形
(溝型)
プリント
基板用端子
8mm
(溝幅)
発光側・受光側共
2.1×0.5
フォト・
トランジスタ
形EE-SJ8-B1
注. 発注は、梱包単位の倍数でお願いします。
■絶対最大定格(Ta=25℃)
項 目記号定格値単位
発光側
順電流
IF50*1mA
パルス順電流
IFP1*2A
逆電圧
VR4V
受光側
コレクタ・エミッタ間電圧
VCEO30V
エミッタ・コレクタ間電圧
VECO
コレクタ電流
IC20mA
コレクタ損失
PC100*1mW
周囲温度
動作温度
Topr−25〜+85
保存温度
Tstg−30〜+100
はんだ付け温度
Tsol260*3
*1 周囲温度が25℃を越える場合は、温度定格図をご覧ください。
*2 パルス幅≦10μs、繰返し100Hz
*3 はんだ付け時間は10秒以内



■電気的および光学的特性(Ta=25℃)
項 目記号特性値単位条件
MIN.TYP.MAX.
発光側
順電流
VF1.21.5VIF=30mA
逆電圧
IR0.0110μAVR=4V
ピーク発光波長
λP940nmIF=20mA
受光側
光電流
IL0.055mAIF=20mA,VCE=10V
暗電流
ID2200nAVCE=10V,0x
漏れ電流
ILEAK
コレクタ・エミッタ間
飽和電圧
VCE(sat)
ピーク分光感度波長
λP850nmVCE=10V
上昇時間
tr4μsVCC=5V,RL=100Ω
IL=5mA
下降時間
tf4μsVCC=5V,RL=100Ω
IL=5mA



■外装仕様
接続方式質量(g)材質
ケース
プリント基板用端子1.62ポリカーボネート

(単位:mm)

形EE-SJ8-B


スリットサイズ(縦×横)

発光側受光側
2.1×0.52.1×0.5





内部回路


端子記号名称
Aアノード
Kカソード
Cコレクタ
Eエミッタ

指定なき寸法公差は下表とする。
寸法区分公差
3以下±0.3
3を越え6以下±0.375
6を越え10以下±0.45
10を越え18以下±0.55
18を越え30以下±0.65

使用上の注意

  • 定格を超える周囲雰囲気、環境では使用しないでください。