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EE-SY199 フォト・マイクロセンサ [反射形]

超小型反射形・SMDタイプ (標準検出距離=1mm)

  • プリント基板表面実装タイプ
  • 小ロット対応品あり*1
  • 選別指定品あり*2

*1. 100個梱包タイプ有。発注用形式は形EE-SY199-1。
*2. 光電流タイプ有。発注用形式は形EE-SY199 -RANKB。

RoHS適合
本ページは製品カタログからの抜粋した情報を記載しています。その他の製品情報はデータシート他各種データをご覧ください。
(納期・価格についてはお取引き商社にお問い合わせください。)
形状 検出方式 接続方式 検出距離 出力形式 形式 最小納入単位
(単位:個)
反射形 表面実装
タイプ
1mm フォト・
トランジスタ
形EE-SY199*1*2 2,000*1
*1. 100個梱包タイプ有。発注用形式は形EE-SY199-1。
*2.光電流タイプ有。発注用形式は形EE-SY199 -RANKB。
注. 発注は、梱包単位の倍数でお願いします。
■絶対最大定格(Ta=25℃)
項 目 記号 定格値 単位
発光側 順電流 IF 50*1 mA
逆電圧 VR 6 V
受光側 コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO 35 V
エミッタ・コレクタ間電圧 VECO 6 V
コレクタ電流 IC 20 mA
コレクタ損失 PC 75*1 mW
全許容損失 Ptot 100*1 mW
動作温度 Topr −25〜85
保存温度 Tstg −40〜100
リフローはんだ付け温度 Tsol 260*2
*1 周囲温度が25℃を越える場合は、温度定格図をご覧ください。
*2 はんだ付け時間は5秒以内。
リフローはんだ付けは実装上の注意に記載の条件にてはんだ付けを行ってください。


■電気的および光学的特性(Ta=25℃)
項 目 記号 特性値 単位 条件
MIN. TYP. MAX.
発光側 順電圧 VF 1.2 1.4 V IF=20mA
逆電流 IR 10 μA VR=6V
ピーク発光波長 λP 950 nm
受光側 光電流 形EE-SY199 IL 40 85 130 μA IF=4A,VCE=2V
アルミ蒸着ガラス、d=1mm
形EE-SY199- RANKB 65
暗電流 ID 1 100 nA VCE=20V,0x
漏れ電流 ILEAK 500 nA IF=4mA,VCE=2V,無反射状態
コレクタ・エミッタ間
飽和電圧
VCE(sat) V
ピーク分光感度波長 λP 930 nm
上昇時間 tr 20 100 μA VCC=2V,RL=1kΩ,IL=100μA,d=1mm
下降時間 tf 20 100 μA VCC=2V,RL=1kΩ,IL=100μA,d=1mm
* 詳細は図12.光電流側配置図をご覧ください。


■外装仕様
接続方式 質量(g) 材質
ケース
表面実装タイプ 0.008 ポリフェレンサルファイド (PPS)

(単位:mm)

形EE-SY199

推奨はんだ付けパターン

注1. 上記の網掛け部はショートの原因になる恐れ がありますので、配線しないでください。
注2. 推奨はんだ付けパターンの寸法公差は±0.1 です。






内部回路 

端子記号 名称
A アノード
K カソード
C コレクタ
E エミッタ
指定なき寸法公差は±0.15mmとする。

使用上の注意

  • 定格を超える周囲雰囲気、環境では使用しないでください。
  • 本製品は表面実装品です。実装上の注意、保管方法、ベーキングの条件を守ってください。
  • 本製品の廃棄時には産業廃棄物として廃棄してください。