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EE-SY199 フォト・マイクロセンサ [反射形]

超小型反射形・SMDタイプ (標準検出距離=1mm)

  • プリント基板表面実装タイプ
  • 小ロット対応品あり*1
  • 選別指定品あり*2

*1. 100個梱包タイプ有。発注用形式は形EE-SY199-1。
*2. 光電流タイプ有。発注用形式は形EE-SY199 -RANKB。

RoHS適合
本ページは製品カタログからの抜粋した情報を記載しています。その他の製品情報はデータシート他各種データをご覧ください。
(納期・価格についてはお取引き商社にお問い合わせください。)
形状検出方式接続方式検出距離出力形式形式最小納入単位
(単位:個)

反射形表面実装
タイプ
1mmフォト・
トランジスタ
形EE-SY199*1*22,000*1
*1. 100個梱包タイプ有。発注用形式は形EE-SY199-1。
*2.光電流タイプ有。発注用形式は形EE-SY199 -RANKB。
注. 発注は、梱包単位の倍数でお願いします。
■絶対最大定格(Ta=25℃)
項 目記号定格値単位
発光側順電流IF50*1mA
逆電圧VR6V
受光側コレクタ・エミッタ間電圧VCEO35V
エミッタ・コレクタ間電圧VECO6V
コレクタ電流IC20mA
コレクタ損失PC75*1mW
全許容損失Ptot100*1mW
動作温度Topr−25〜85
保存温度Tstg−40〜100
リフローはんだ付け温度Tsol260*2
*1 周囲温度が25℃を越える場合は、温度定格図をご覧ください。
*2 はんだ付け時間は5秒以内。
リフローはんだ付けは実装上の注意に記載の条件にてはんだ付けを行ってください。


■電気的および光学的特性(Ta=25℃)
項 目記号特性値単位条件
MIN.TYP.MAX.
発光側順電圧VF1.21.4VIF=20mA
逆電流IR10μAVR=6V
ピーク発光波長λP950nm
受光側光電流形EE-SY199IL4085130μAIF=4A,VCE=2V
アルミ蒸着ガラス、d=1mm
形EE-SY199- RANKB65
暗電流ID1100nAVCE=20V,0x
漏れ電流ILEAK500nAIF=4mA,VCE=2V,無反射状態
コレクタ・エミッタ間
飽和電圧
VCE(sat)V
ピーク分光感度波長λP930nm
上昇時間tr20100μAVCC=2V,RL=1kΩ,IL=100μA,d=1mm
下降時間tf20100μAVCC=2V,RL=1kΩ,IL=100μA,d=1mm
* 詳細は図12.光電流側配置図をご覧ください。


■外装仕様
接続方式質量(g)材質
ケース
表面実装タイプ0.008ポリフェレンサルファイド (PPS)

(単位:mm)

形EE-SY199





推奨はんだ付けパターン

注1. 上記の網掛け部はショートの原因になる恐れ がありますので、配線しないでください。
注2. 推奨はんだ付けパターンの寸法公差は±0.1 です。






内部回路 

端子記号名称
Aアノード
Kカソード
Cコレクタ
Eエミッタ
指定なき寸法公差は±0.15mmとする。

使用上の注意

  • 定格を超える周囲雰囲気、環境では使用しないでください。
  • 本製品は表面実装品です。実装上の注意、保管方法、ベーキングの条件を守ってください。
  • 本製品の廃棄時には産業廃棄物として廃棄してください。