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EE-SY193 フォト・マイクロセンサ [反射形]

超小型反射形・SMDタイプ (標準検出距離=1mm)

  • プリント基板表面実装タイプ
RoHS適合
本ページは製品カタログからの抜粋した情報を記載しています。その他の製品情報はデータシート他各種データをご覧ください。
(納期・価格についてはお取引き商社にお問い合わせください。)
形状検出方式接続方式検出距離出力形式形式最小納入単位
(単位:個)
  反射形表面実装
タイプ
1mmフォト・
トランジスタ
形EE-SY193*3,000*
*100個梱包タイプ有。発注用形式はEE-SY193-1。
注. 発注は、梱包単位の倍数でお願いします。
■絶対最大定格(Ta=25℃)
項 目記号定格値単位
発光側順電流IF25*1mA
パルス順電流IFP100*2mA
逆電圧VR6V
受光側コレクタ・エミッタ間電圧VCEO18V
エミッタ・コレクタ間電圧VECO4V
コレクタ電流IC20mA
コレクタ損失PC75*1mW
動作温度Topr−30〜+80
保存温度Tstg−40〜+85
リフローはんだ付け温度Tsol220*3
手はんだ付け温度Tsol300*4
*1 周囲温度が25℃を越える場合は、温度定格図をご覧ください。
*2 パルス幅≦10μs、繰返し100Hz
*3 はんだ付け時間は10秒以内
*4 はんだ付け時間は3秒以内


■電気的および光学的特性(Ta=25℃)
項 目記号特性値単位条件
MIN.TYP.MAX.
発光側順電圧VF1.11.3VIF=4mA
逆電流IR10μAVR=6V
ピーク発光波長λP940nmIF=20mA
受光側光電流IL100150360μAIF=4mA,VCE=2V
アルミ蒸着ガラス、d=1mm
暗電流ID100nAVCE=10V,0x
漏れ電流ILEAK1μAIF=4mA,VCE=2V
コレクタ・エミッタ間
飽和電圧
VCE(sat)V
ピーク分光感度波長λP900nm
上昇時間tr25μsVCC=2V,RL=1kΩ
下降時間tf30μsVCC=2V,RL=1kΩ
* dはセンサ上面から反射物までの距離


■外装仕様
接続方式質量(g)材質
モールド
表面実装タイプ0.014LCP

(単位:mm)

形EE-SY193

 

 推奨はんだ付けパターン   



内部回路  

端子記号名称
Aアノード
Kカソード
Cコレクタ
Eエミッタ
指定なき寸法公差は±0.2とする。

使用上の注意

  • 定格を超える周囲雰囲気、環境では使用しないでください。
  • 本製品は表面実装品です。実装上の注意、保管方法、ベーキングの条件を守ってください。
  • 本製品の廃棄時には産業廃棄物として廃棄してください。