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EE-SY193 フォト・マイクロセンサ [反射形]

超小型反射形・SMDタイプ (標準検出距離=1mm)

  • プリント基板表面実装タイプ

2021年3月末受注終了予定品

RoHS適合
本ページは製品カタログからの抜粋した情報を記載しています。その他の製品情報はデータシート他各種データをご覧ください。
(納期・価格についてはお取引き商社にお問い合わせください。)
形状 検出方式 接続方式 検出距離 出力形式 形式 最小納入単位
(単位:個)
   反射形 表面実装
タイプ
1mm フォト・
トランジスタ
形EE-SY193* 3,000*
*100個梱包タイプ有。発注用形式はEE-SY193-1。
注. 発注は、梱包単位の倍数でお願いします。
■絶対最大定格(Ta=25℃)
項 目 記号 定格値 単位
発光側 順電流 IF 25*1 mA
パルス順電流 IFP 100*2 mA
逆電圧 VR 6 V
受光側 コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO 18 V
エミッタ・コレクタ間電圧 VECO 4 V
コレクタ電流 IC 20 mA
コレクタ損失 PC 75*1 mW
動作温度 Topr −30〜+80
保存温度 Tstg −40〜+85
リフローはんだ付け温度 Tsol 220*3
手はんだ付け温度 Tsol 300*4
*1 周囲温度が25℃を越える場合は、温度定格図をご覧ください。
*2 パルス幅≦10μs、繰返し100Hz
*3 はんだ付け時間は10秒以内
*4 はんだ付け時間は3秒以内


■電気的および光学的特性(Ta=25℃)
項 目 記号 特性値 単位 条件
MIN. TYP. MAX.
発光側 順電圧 VF 1.1 1.3 V IF=4mA
逆電流 IR 10 μA VR=6V
ピーク発光波長 λP 940 nm IF=20mA
受光側 光電流 IL 100 150 360 μA IF=4mA,VCE=2V
アルミ蒸着ガラス、d=1mm
暗電流 ID 100 nA VCE=10V,0x
漏れ電流 ILEAK 1 μA IF=4mA,VCE=2V
コレクタ・エミッタ間
飽和電圧
VCE(sat) V
ピーク分光感度波長 λP 900 nm
上昇時間 tr 25 μs VCC=2V,RL=1kΩ
下降時間 tf 30 μs VCC=2V,RL=1kΩ
* dはセンサ上面から反射物までの距離


■外装仕様
接続方式 質量(g) 材質
モールド
表面実装タイプ 0.014 LCP

(単位:mm)

形EE-SY193

 

 推奨はんだ付けパターン   



内部回路  

端子記号 名称
A アノード
K カソード
C コレクタ
E エミッタ
指定なき寸法公差は±0.2とする。

使用上の注意

  • 定格を超える周囲雰囲気、環境では使用しないでください。
  • 本製品は表面実装品です。実装上の注意、保管方法、ベーキングの条件を守ってください。
  • 本製品の廃棄時には産業廃棄物として廃棄してください。