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RF MEMSスイッチ 形2SMES-01

半導体テスタ・高周波計測器向け小型・高周波・高信頼の「RF MEMSスイッチ」
RF MEMSスイッチ

□オムロンRF MEMSスイッチは、
  MEMS設計技術、高周波設計技術を活かし、
  量産性および信頼性に優れています。


□5.2×3.0×1.8mmの小型サイズで、10GHzの高周波伝送が可能です。
RF MEMSスイッチ
特長1 小型
独自の3次元微細加工技術により、MEMSチップサイズ2.3×1.9×0.9mmと世界最小クラスを実現。この小型チップをパッケージングすることで5.2×3.0×1.8mm 単極双投の超小型のRFスイッチを実現

特長2 10GHz高周波伝送に対応
チップ、パッケージのトータルでの高周波伝送線路を最適化することで10GHzの高周波伝送に対応

特長3 1億回の開閉信頼性
接点形成技術とウェハレベルパッケージング技術により1億回以上の開閉信頼性を確保

特長4 低消費電力
静電アクチュエータを採用することで、10μWの低消費電力を実現
MEMSチップ構造
MEMSチップ構造

主な仕様

<定格(推奨値)>

駆動電圧 34V
使用温度範囲 -20℃から85℃

<仕様(参考)>

接点構成 SPDT
サイズ 5.2×3.0×1.8mm
特性インピーダンス 50Ω
インサーションロス(10GHz) 1dB(Typical)
アイソレーション(10GHz) 30dB(Typical)
リレー抵抗 1500mΩ以下
動作、復帰時間 100μsec以下
消費電力 10μW以下
開閉寿命 1億回(0.5mA 0.5V 抵抗負荷)

RF MEMSスイッチ
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