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形G3VM-61A1/D1 MOS FETリレー

アナログ信号開閉用途に適した小型汎用MOS FETリレー 光絶縁で入出力間耐電圧AC2.5kV

  • 形G3VM-61A/Dシリーズをリニューアル。
  • 微小アナログ信号の開閉が可能。
  • 出力開路時漏れ電流1μA以下。
RoHS Compliant
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(◎印の機種は標準在庫機種です。無印(受注生産機種)の納期についてはお取引き商社にお問い合わせください)
形状 接点
構成
端子種類 負荷電圧(最大) * 形式 最小梱包単位
スティック
数量
テーピング
数量
DIP4 1a プリント基板用端子 60V 形G3VM-61A1 100
サーフェス・マウント端子 形G3VM-61D1
形G3VM-61D1(TR) 1,500
*負荷電圧(最大):ピークAC、DCを表わします。
■絶対最大定格(Ta=25℃)
項目 記号 定格 単位 条件


LED順電流 IF 50 mA  
繰り返しピークLED順電流 IFP 1 A 100μsパルス、100pps
直流順電流低減率 △IF/℃ -0.5 mA/℃ Ta≧25℃
LED逆電圧 VR 5 V  
接合部温度 TJ 125  


負荷電圧(ピークAC/DC) VOFF 60 V  
連続負荷電流(ピークAC/DC) IO 500 mA  
オン電流低減率 △IO/℃ -5.0 mA/℃ Ta≧25℃
パルスオン電流 Iop 1.5 A t=100ms Duty=1/10
接合部温度 TJ 125  
入出力間耐電圧 (注1) VI-O 2500 Vrms AC1分間
使用周囲温度 Ta −40〜+85 氷結・結露のないこと
保管温度 Tstg −55〜+125 氷結・結露のないこと
はんだ付け温度条件 260 10s
注1.入出力間耐電圧の測定は、LEDピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。

■電気的性能(Ta=25℃)
項目 記号 最小 標準 最大 単位 条件


LED順電圧 VF 1.0 1.15 1.3 V IF=10mA
逆電流 IR 10 μA VR=5V
端子間容量 CT 30 pF V=0、f=1MHz
トリガLED順電流 IFT 1.6 3 mA Io=500mA
復帰LED順電流 IFC 0.1 mA IOFF=100μA


最大出力オン抵抗 RON 1 2 Ω IF=5mA、Io=500mA
開路時漏れ電流 ILEAK 1.0 μA VOFF=60V
端子間容量 COFF 130 pF V=0、f=1MHz
入出力間容量 CI-O 0.8 pF f=1MHz、Vs=0V
入出力間容量絶縁抵抗 RI-O 1000 108 VI-O=500VDC、RoH≦60%
動作時間 tON 0.8 2.0 ms IF=5mA、RL=200Ω、
VDD=20V (注2)
復帰時間 tOFF 0.1 0.5 ms
注2.動作・復帰時間

(単位:mm)
形G3VM-61A1
形G3VM-61A1:外形1
質量:0.25g
注. マーキングの内容は各商品で異なります。


形G3VM-61D1
形G3VM-61D1:外形1
質量:0.25g
注. マーキングの内容は各商品で異なります。
プリント基板加工寸法(BOTTOM VIEW)
形G3VM-61A1:外形2
実装パッド寸法(推奨値)(TOP VIEW)
形G3VM-61D1:外形2


端子配置/内部接続図
形G3VM-61A1:外形3
注. 製品の形式表示には、「G3VM」は表示しておりません。
※ 1ピンマークと対角側の窪みはモールド金型突き出しピン跡となります。